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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PN2222ATA - 晶体管 NPN 1A 40V TO92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:3
封装类型:TO-92
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:通孔安装
集电极连续电流:1A
封装类型:TO-92
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上海 0 美国15238 新加坡 0 英国3230 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PZT3906.. - 晶体管 PNP 0.2A 40V SOT223 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:4
封装类型:SOT-223
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
集电极连续电流:100mA
封装类型:SOT-223
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PN3569 - 晶体管 NPN 0.5A 40V TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:3
封装类型:TO-92
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:通孔安装
集电极连续电流:150mA
封装类型:TO-92
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上海 0 新加坡 0 英国1395 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N3392 - 晶体管 NPN 300mA TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:25V
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
封装类型:TO-92
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:通孔安装
集电极连续电流:10mA
封装类型:TO-92
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上海 0 新加坡 0 英国772 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PN3563 - 晶体管 N沟道 30mA TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:15V
截止频率 ft, 典型值:1500MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:50mA
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:3
封装类型:TO-92
晶体管类型:RF Bipolar
表面安装器件:通孔安装
集电极连续电流:8mA
封装类型:TO-92
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上海 0 新加坡 0 英国1252 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N3903 - 晶体管 N沟道 100mA TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
封装类型:TO-92
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:通孔安装
集电极连续电流:100mA
封装类型:TO-92
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上海 0 新加坡 0 英??405 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PN3645 - 晶体管 双P TO-92 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:800mA
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:3
封装类型:TO-92
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:通孔安装
集电极连续电流:300mA
封装类型:TO-92
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上海 0 新加坡 0 英国2709 |
1 |
1 |
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NXP - PBR941 - 晶体管 NPN 射频 SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:10V
截止频率 ft, 典型值:8GHz
功耗, Pd:0.36W
集电极直流电流:50mA
直流电流增益 hFE:100
???装类型:SOT-23
晶体管类型:RF Bipolar
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:表面安装
集电极连续电流:50mA
封装类型:SOT-23
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上海 0 新加坡 0 英国10540 |
1 |
5 |
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MULTICOMP - BF199 - 晶体管 NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:25V
截止频率 ft, 典型值:550MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:40
工??温度范围:-55°C to +150°C
针脚数:3
噪声:2.5dB
封装类型:TO-92
晶体管数:1
晶体管类型:小信号RF
最小增益带宽 ft:550MHz
测试频率:400MHz
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:g
集电极连续电流:100mA
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:0.5W
最大连续电流, Ic:0.025A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:40V
电流, Ic hFE:7mA
电流, Ic 最大:0.025A
直流电流增益 hfe, 最小值:38
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无库存 |
1 |
5 |
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NXP - BLT81.115 - 射频晶体管 NPN 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:9.5V
截止频率 ft, 典型值:900MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:25
外宽:6.7mm
外部深度:7.5mm
外部长度/高度:1.7mm
封装类型:SOT-223
晶体管数:1
晶体管类型:RF Bipolar
每卷数量:1000
表面安装器件:表面安装
集电极连续电流:500mA
SMD标号:BLT81
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
效率:60%
最大连续电流, Ic:0.5A
最小功率增益 Gp:6dB
电压, Vcbo:20V
电流, Ic hFE:300mA
电流, Ic 最大:0.5A
电源电压:7.5V
直流电流增益 hfe, 最小值:25
负载功率:1.2W
集电极电流, Ic 平均值:500mA
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上海 0 新加坡 0 英国1 |
1,000 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - PZT3904 - 射频双极性晶体管 |
射频双极性晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SEMICONDUCTOR - BFP193T-GS08 - 射频双极性晶体管 |
射频双极性晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - NSB9435T1G - 偏置电阻晶体管 |
偏置电阻晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMUN2213LT1G - 小信号前置偏移晶体管 |
小信号前置偏移晶体管
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无库存 |
1 |
3000 |
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ON SEMICONDUCTOR - UMC5NT1G - 晶体管 |
晶体管
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美国 0 上海 0 美国4717 新加坡 0 |
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