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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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DIODES INC. - DXT3904-13 - 双极性晶体管 NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:0.2A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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上海 0 新加坡 0 英国2425 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - DXT3150-13 - 双极性晶体管 NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:25V
截止频率 ft, 典型值:220MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:5A
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:350mV
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上海 0 新加坡 0 英国2458 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - DP350T05-7 - 双极性晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:350V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.3W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Small Signal
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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上海 0 新加坡 0 英国2743 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - DNBT8105-7 - 双极性晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海 0 新加坡 0 英国5174 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - DN350T05-7 - 双极性晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:350V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.3W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Small Signal
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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上海 0 新加坡 0 英国5646 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - DSS5160V-7 - 晶体管 PNP SOT563 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:160mV
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上海 0 新加坡 0 英国3100 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5140V-7 - 晶体管 PNP SOT563 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:140mV
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上海 0 新加坡 0 英国2024 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5240V-7 - 晶体管 PNP SOT563 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:120mV
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上海 0 新加坡 0 英国3075 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5220V-7 - 晶体管 PNP SOT563 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:80mV
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上海 0 新加坡 0 英国3094 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4160V-7 - 晶体管 NPN SOT563 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:110mV
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上海 0 新加坡 0 英国3070 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4140V-7 - 晶体管 NPN SOT563 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:80mV
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上海 0 新加坡 0 英国2000 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4240V-7 - 晶体管 NPN SOT563 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:75mV
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上海 0 新加坡 0 英国3000 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4220V-7 - 晶体管 NPN SOT563 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:260MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:55mV
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上海 0 新加坡 0 英国3050 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5160U-7 - 晶体管 PNP SOT323 0.4W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.4W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.4W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:175mV
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上海 0 新加坡 0 英国2478 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5140U-7 - 晶体管 PNP SOT323 0.4W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.4W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.4W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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上海 0 新加坡 0 英国2390 |
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