STMICROELECTRONICS - STG3P2M10N60B - 晶体管 IGBT模块 10A 600V
描述信息:
- 晶体管极??:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
- 封装类型:SEMITOP 2
- 封装类型:SEMITOP 2
- 晶体管类型:PowerMESH
- 表面安装器件:螺丝安装
- 功耗:56W
- 最大连续电流, Ic:10A
- 电压, Vces:600V
产品属性:
重量(公斤):0.12
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极??:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
- 封装类型:SEMITOP 2
- 封装类型:SEMITOP 2
- 晶体管类型:PowerMESH
- 表面安装器件:螺丝安装
- 功耗:56W
- 最大连续电流, Ic:10A
- 电压, Vces:600V