DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - 场效应管 MOSFET N沟道 60V SOT-363
制造商:DIODES INC.
库存编号:
制造商编号:2N7002DW-7-F
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国2409
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 4.91
价格:
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制造商编号:2N7002DW-7-F
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国2409
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 4.91
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
5 - 24 | CNY 4.91 |
25 - 99 | CNY 3.49 |
100 - 249 | CNY 2.73 |
250 - 499 | CNY 2.29 |
500+ | CNY 1.96 |
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 开态电阻, Rds(on):13.5ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-363
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOT-363
- 晶体管类型:Enhancement
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:115mA
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 开态电阻, Rds(on):13.5ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-363
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOT-363
- 晶体管类型:Enhancement
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:115mA