TOSHIBA - SSM3J15TE(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 100A 30V SOT23
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：SSM3J15TE(TE85LF)
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , ???国3755
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.50
价格：
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库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , ???国3755
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.50
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 2.50 |
| 25 - 99 | CNY 2.10 |
| 100 - 249 | CNY 1.90 |
| 250+ | CNY 1.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-100mA
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):12ohm
- 电压 @ Rds测量:-4V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:100mW
- 封装类型:SOT-23
- 封装类型:TESM
- 晶体管类型:Small Signal MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-100mA
- 电压, Vds 最大:-30V
- 开态电阻, Rds(on):12ohm
- 电压 @ Rds测量:-4V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:100mW
- 封装类型:SOT-23
- 封装类型:TESM
- 晶体管类型:Small Signal MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V