TOSHIBA - SSM6K06FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 1.1A 20V SOT23
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：SSM6K06FU(TE85LF)
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2903
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.29
价格：
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制造商编号：SSM6K06FU(TE85LF)
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2903
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.29
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 4.29 |
| 25 - 99 | CNY 3.84 |
| 100 - 249 | CNY 3.38 |
| 250+ | CNY 3.16 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:1.1A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.16ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:300mW
- 封装类型:US6
- 封装类型:US6
- 晶体管类型:Small Signal MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:1.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:1.1A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.16ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:300mW
- 封装类型:US6
- 封装类型:US6
- 晶体管类型:Small Signal MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:1.1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V