NXP - BUK9508-55B - 场效应管 MOSFET N沟道 55V 75A TO-220AB
描述信息:
- 晶体管极性:N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:110A
- 电压, Vds 最大:55V
- 开态电阻, Rds(on):6.2mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:15V
- 功耗:203W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220AB
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:55V
- 电流, Id 连续:25A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.0002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:110A
- 电压, Vds 最大:55V
- 开态电阻, Rds(on):6.2mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:15V
- 功耗:203W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220AB
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:55V
- 电流, Id 连续:25A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V