SANYO - MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：MCH6601-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国100
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.45
价格：
库存编号：
制造商编号：MCH6601-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国100
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.45
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 5.45 |
| 25 - 99 | CNY 4.56 |
| 100 - 249 | CNY 3.78 |
| 250 - 499 | CNY 3.11 |
| 500+ | CNY 2.67 |
描述信息：
- 晶体管极性:Dual P Channel
- 漏极电流, Id 最大值:0.2A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):10400mohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
- 功耗:800mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-88
- 针脚数:6
- 封装类型:SC-88
- 晶体管类型:Switching
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs 最高:10V
- 电流, Id 连续:0.05A
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:Dual P Channel
- 漏极电流, Id 最大值:0.2A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):10400mohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
- 功耗:800mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-88
- 针脚数:6
- 封装类型:SC-88
- 晶体管类型:Switching
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs 最高:10V
- 电流, Id 连续:0.05A