STMICROELECTRONICS - STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP
制造商:STMICROELECTRONICS
库存编号:
制造商编号:STF13NM60N
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国50
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 30.21
价格:
库存编号:
制造商编号:STF13NM60N
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包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 30.21
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 24 | CNY 30.21 |
25 - 99 | CNY 23.75 |
100 - 249 | CNY 19.03 |
250 - 499 | CNY 16.71 |
500+ | CNY 15.14 |
描述信息:
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):0.28ohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220FP
- 封装类型:TO-220FP
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:5.5A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性:
重量(公斤):0.00195
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):0.28ohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220FP
- 封装类型:TO-220FP
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:5.5A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V