STMICROELECTRONICS - VND7NV04-E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V 6A DPAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：VND7NV04-E
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 19.30
价格：
库存编号：
制造商编号：VND7NV04-E
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 19.30
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 19.30 |
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):60mohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:DPAK
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:45V
- 电流, Id 连续:3.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00195
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):60mohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:DPAK
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:45V
- 电流, Id 连续:3.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V