FUJI ELECTRIC - 2SK3680-01 - 场效应管 MOSFET N TO-247

FUJI ELECTRIC - 2SK3680-01 - 场效应管 MOSFET N TO-247
制造商：FUJI ELECTRIC
库存编号：
制造商编号：2SK3680-01
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国60
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 120.80
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 120.80
25  - 99 CNY 96.24
100  - 249 CNY 75.70
250+  CNY 68.29

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描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:52A
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 开态电阻, Rds(on):0.11ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:600W
  • 封装类型:TO-247
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:600W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:802.7mJ
  • 封装类型:TO-247
  • 封装类型, 替代:SOT-249
  • 引脚节距:5.45mm
  • 总功率, Ptot:600W
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电流, Id 连续:52A
  • 电流, Idm 脉冲:208A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 重复雪崩电流, Iar:26A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:5V
产品属性：

重量（公斤）：0.007
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:52A
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 开态电阻, Rds(on):0.11ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:600W
  • 封装类型:TO-247
  • 针脚数:3
  • 功率, Pd:600W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:802.7mJ
  • 封装类型:TO-247
  • 封装类型, 替代:SOT-249
  • 引脚节距:5.45mm
  • 总功率, Ptot:600W
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电流, Id 连续:52A
  • 电流, Idm 脉冲:208A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 重复雪崩电流, Iar:26A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:3V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:5V