IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR30N120 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXDR30N120
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国38
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 79.70
价格：
库存编号：
制造商编号：IXDR30N120
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国38
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 79.70
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 79.70 |
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:50A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
- 最大功耗:200W
- 电压, Vceo:1.2kV
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:ISOPLUS-247
- 上升时间:70ns
- 下降时间:70ns
- 功率, Pd:200W
- 功耗:200W
- 封装类型:ISOPLUS-247
- 晶体管极性:NPN
- 最大连续电流, Ic:50A
- 热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
- 电压, Vces:1200V
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚配置:Single
产品属性：
重量（公斤）：0.005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:50A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
- 最大功耗:200W
- 电压, Vceo:1.2kV
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:ISOPLUS-247
- 上升时间:70ns
- 下降时间:70ns
- 功率, Pd:200W
- 功耗:200W
- 封装类型:ISOPLUS-247
- 晶体管极性:NPN
- 最大连续电流, Ic:50A
- 热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
- 电压, Vces:1200V
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚配置:Single