TOSHIBA - GT25Q102 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(LH)
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：GT25Q102
库存状态：上海 0 , 新加坡108, 英国38
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 80.96
价格：
库存编号：
制造商编号：GT25Q102
库存状态：上海 0 , 新加坡108, 英国38
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 80.96
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 80.96 |
| 25 - 99 | CNY 57.12 |
| 100 - 249 | CNY 52.04 |
| 250+ | CNY 49.36 |
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:25A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
- 最大功耗:200W
- 电压, Vceo:1200V
- 工作温度范???:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-3P (LH)
- 上升时间:100ns
- 下降时间典型值:160ns
- 功率, Pd:200W
- 功耗:200W
- 封装类型:TO-3P (LH)
- 晶体管极性:N Channel
- 最大连续电流, Ic:25A
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:50A
- 表面安装器件:通孔安装
产品属性：
重量（公斤）：0.00975
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:25A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
- 最大功耗:200W
- 电压, Vceo:1200V
- 工作温度范???:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-3P (LH)
- 上升时间:100ns
- 下降时间典型值:160ns
- 功率, Pd:200W
- 功耗:200W
- 封装类型:TO-3P (LH)
- 晶体管极性:N Channel
- 最大连续电流, Ic:25A
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:50A
- 表面安装器件:通孔安装