FUJI ELECTRIC - 2MBI150S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 150A
描述信息:
- 晶体管极性:N 通道
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:M234
- 外宽:108mm
- 外部深度:62mm
- 外部长度/高度:30mm
- 封装类型:M234
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT
- 结温, Tj 最高:150°C
- 重量:0.18kg
- 上升时间:600ns
- 下降时间:300ns
- 功率, Pd:1000W
- 功耗:1000W
- 最大连续电流, Ic:200A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Ic @ Vce饱和:150A
- 电流, Icm 脉冲:400A
- 隔离电压:2500V
产品属性:
重量(公斤):0.4
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N 通道
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:M234
- 外宽:108mm
- 外部深度:62mm
- 外部长度/高度:30mm
- 封装类型:M234
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT
- 结温, Tj 最高:150°C
- 重量:0.18kg
- 上升时间:600ns
- 下降时间:300ns
- 功率, Pd:1000W
- 功耗:1000W
- 最大连续电流, Ic:200A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Ic @ Vce饱和:150A
- 电流, Icm 脉冲:400A
- 隔离电压:2500V