FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGT1N30N60A4D - 晶体管 IGBT 39A 600V
描述信息:
- 晶体管???性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
- 电压, Vceo:600V
- 封装类型:SOT-227
- 封装类型:SOT-227
- 晶体管类型:IGBT
- 上升时间:12ns
- 功率, Pd:255W
- 最大连续电流, Ic:96A
- 电流, Icm 脉冲:240A
产品属性:
重量(公斤):0.02915
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管???性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
- 电压, Vceo:600V
- 封装类型:SOT-227
- 封装类型:SOT-227
- 晶体管类型:IGBT
- 上升时间:12ns
- 功率, Pd:255W
- 最大连续电流, Ic:96A
- 电流, Icm 脉冲:240A