SEMIKRON - SEMIX 653GB176HDS - 双IGBT模块 1700V
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
- 电压, Vceo:1700V
- 封装类型:SEMiX 3
- 外宽:149.5mm
- 外部深度:61.6mm
- 封装类型:SEMiX 3
- 晶体管数:4
- 晶体管类型:IGBT
- SMD标号:SEMiX3
- 上升时间:90ns
- 安装孔中心距:137mm
- 安装孔直径:5.5mm
- 最大连续电流, Ic:650A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1700V
- 电压, Vces:1700V
- 电流, Icm 脉冲:650A
- 集电极电流, Ic 平均值:650A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:460A
产品属性:
重量(公斤):0.4
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
- 电压, Vceo:1700V
- 封装类型:SEMiX 3
- 外宽:149.5mm
- 外部深度:61.6mm
- 封装类型:SEMiX 3
- 晶体管数:4
- 晶体管类型:IGBT
- SMD标号:SEMiX3
- 上升时间:90ns
- 安装孔中心距:137mm
- 安装孔直径:5.5mm
- 最大连续电流, Ic:650A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1700V
- 电压, Vces:1700V
- 电流, Icm 脉冲:650A
- 集电极电流, Ic 平均值:650A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:460A