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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60B2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:100ns
下降时间:100ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国113 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR50N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:68A
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
最???功耗:200W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:65ns
下降时间:65ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:60A
热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国6 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:56A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:170W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:32ns
下降时间:32ns
功耗:170W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:56A
热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡20
英国67 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
最???功耗:167W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:82ns
下降时间:82ns
功耗:167W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:60A
热阻, 结至外壳 A:0.75°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国319 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60B2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
最大功耗:167W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:82ns
下降时间:82ns
功耗:167W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:60A
热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国49 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR35N120B - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:3.3V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:160ns
下降时间:160ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:70A
热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国2 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR32N170H1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:26A
饱和电压, Vce sat 最大:3.5V
最大功???:200W
电压, Vceo:1.7kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:250ns
下降时间:250ns
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:38A
热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
电压, Vces:1700V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国202 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR32N170AH1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:26A
饱和电压, Vce sat 最大:5.2V
最???功耗:200W
电压, Vceo:1.7kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:50ns
下降时间:50ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:26A
热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
电压, Vces:1700V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国41 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:16A
饱和电压, Vce sat 最大:5V
最大功耗:120W
电压, Vceo:1.7kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:40ns
下降时间:40ns
功耗:120W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:16A
热阻, 结至外壳 A:1.04°C/W
电压, Vces:1700V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国307 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR120N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:45ns
下降时间:45ns
功耗:300W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.42°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国10 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGF32N170 - 晶体管 IGBT ISOI4-PAC |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:44A
饱和电压, Vce sat 最大:3.5V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1.7kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOi4-PAC
封装类型:ISOi4-PAC
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:26A
热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
电压, Vces:1700V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60C2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:3V
封装类型:ISOPLUS-220
上升时间:35ns
下降时间:35ns
功耗:63W
封装类型:ISOPLUS-220
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:20A
热阻, 结至外壳 A:2°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:3V
封装类型:ISOPLUS-220
上升时间:35ns
下降时间:35ns
功耗:63W
封装类型:ISOPLUS-220
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:20A
热阻, 结至外壳 A:2°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.3V
封装类型:ISOPLUS-220
上升时间:80ns
下降时间:80ns
功耗:63W
封装类型:ISOPLUS-220
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:28A
热阻, 结至外壳 A:0.83°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXER60N120 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:95A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
最大功耗:375W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:50ns
下降时间:50ns
功耗:375W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:95A
热阻, 结至外壳 A:0.33°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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无库存 |
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