| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
IXYS SEMICONDUCTOR - IXER35N120D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
最大功???:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:50ns
下降时间:50ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
|
上海 0
新加坡 0
英国210 |
1 |
1 |
  |
 |
IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR35N60BD1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:NPT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功耗:125W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:38A
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
|
上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
|
 |
IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR30N120D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功???:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
|
上海 0
新加坡20
英国35 |
1 |
1 |
|
 |
IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR30N120 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:50A
热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
|
上海 0
新加坡 0
英国38 |
1 |
1 |
|
 |
POWEREX - CM300DY-24NF - 晶体管 IGBT模块 890W Vceo:1200V 300A 1200V |
晶体管 IGBT模块 890W Vceo:1200V 300A 1200V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM1400DU-24NF - 晶体管 IGBT模块 1400A 1200V |
晶体管 IGBT模块 1400A 1200V
|
美国 0
上海 0
美国6
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM200DY-12NF - 晶体管 IGBT模块 600W Vceo:600V 200A 600V |
晶体管 IGBT模块 600W Vceo:600V 200A 600V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM100DY-24NF - 晶体管 IGBT模块 650W Vceo:1200V 100A 1200V |
晶体管 IGBT模块 650W Vceo:1200V 100A 1200V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM150E3U-24H - 晶体管 IGBT模块 890W Vceo:1.2kV |
晶体管 IGBT模块 890W Vceo:1.2kV
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM200DU-24H - 晶体管 IGBT 1.13kW Vceo:1.2kV |
晶体管 IGBT 1.13kW Vceo:1.2kV
|
美国 0
上海 0
美国7
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
 |
FUJI ELECTRIC - 1MBI600S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 600A |
晶体管类型:IGBT Module
集电极直流电流:900A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功??:4.15kW
电压, Vceo:1200V
封装类型:M138
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:4150W
功耗:4150W
外宽:110mm
外部深度:80mm
外部长度/高度:35mm
封装类型:M138
晶体管数:1
晶体管极性:N 通道
最大连续电流, Ic:900A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:600A
电流, Icm 脉冲:1800A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.5kg
隔???电压:2500V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
FUJI ELECTRIC - 1MBI400S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 400A |
晶体管类型:IGBT Module
集电极直流电流:600A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功??:3.1kW
电压, Vceo:1200V
封装类型:M127
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:3100W
功耗:3100W
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:35mm
封装类型:M127
晶体管数:1
晶体管极性:N 通道
最大连续电流, Ic:600A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:400A
电流, Icm 脉冲:1200A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.4kg
隔??电压:2500V
|
上海 0
新加坡 0
英国45 |
1 |
1 |
|
 |
FUJI ELECTRIC - 1MBI200S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 200A |
晶体管类型:IGBT Module
集电极直流电流:300A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功??:1.3kW
电压, Vceo:1200V
封装类型:M127
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:1500W
功耗:1500W
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:35mm
封装类型:M127
晶体管数:1
晶体管极性:N 通道
最大连续电流, Ic:300A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:200A
电流, Icm 脉冲:600A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.4kg
隔离电压:2500V
|
上海 0
新加坡 0
英国48 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - PS21563-P - 晶体管 IGBT模块 NPN & PNP 20W Vceo:600V DIP 600V |
晶体管 IGBT模块 NPN & PNP 20W Vceo:600V DIP 600V
|
美国 0
上海 0
美国7
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
POWEREX - CM75DU-12F - 晶体管 IGBT模块 450W Vceo:600V 75A 600V |
晶体管 IGBT模块 450W Vceo:600V 75A 600V
|
美国 0
上海 0
美国9
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
| 共 18 页 | 第 17 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
