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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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VISHAY SILICONIX - SST110-E3. - 场效应管 JFET NPN 0.350W TO-236 (SOT-23) 50mA |
场效应管 JFET NPN 0.350W TO-236 (SOT-23) 50mA
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBF5457LT1G. - 场效应管 JFET SOT-23 SMD |
场效应管 JFET SOT-23 SMD
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无库存 |
1 |
25 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBF4393LT1G. - 场效应管 JFET SOT-23 SMD |
场效应管 JFET SOT-23 SMD
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美国 0 上海500 美国3172 新加坡 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ177LT1G. - 场效应管 JFET SOT-23 SMD |
场效应管 JFET SOT-23 SMD
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美国 0 上海 0 美国2471 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N5953 - 场效应管 JFET TO-92 5mA 3V |
场效应管 JFET TO-92 5mA 3V
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N5950 - 场效应管 JFET TO-92 15mA 6V |
场效应管 JFET TO-92 15mA 6V
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J270 - 双极晶体管 |
双极晶体管
TO-92
-15A
30V
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美国 0 上海 0 美国1694 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J110.. - 场效应管 JFET N沟道 25V 10mA TO-92 |
场效应管 JFET N沟道 25V 10mA TO-92
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美国 0 上海 0 美国1606 新加坡300 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - U1898.. - 场效应管 JFET N沟道 TO-92 |
场效应管 JFET N沟道 TO-92
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美国 0 上海 0 美国1770 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J202 - 双极晶体管 |
双极晶体管
0.350W
TO-92
4.5A
40V
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美国 0 上海 0 美国1964 新加坡187 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBFJ310 - 晶体管 JFET N沟道 SOT-23 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
零栅极电压漏极电流范围 Idss:24mA to 60mA
电压, Vgs off 最大:-6.5V
功耗:350mW
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-23
应用代码:HFA
总功率, Ptot:625W
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
满功率温度:25°C
电压, Vds 最大:25V
电流, Idss 最大:60mA
电流, Idss 最小:24mA
表面安装器件:表面安装
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海140 新加坡88 英国1828 |
1 |
1 |
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NXP - PMBFJ310 - 晶体管 JFET N沟道 SOT-23 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
零栅极电压漏极电流范围 Idss:24mA to 60mA
电压, Vgs off 最大:-6.5V
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
针脚数:3
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
栅极电流, Ig:50mA
电压, Vds 最大:25V
电流, Idss 最大:60mA
电流, Idss 最小:12mA
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡50 英国3805 |
1 |
5 |
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NXP - BFT46 - 晶体管 JFET N沟道 SOT-23 |
晶体管类型:JFET
零栅极电压漏极电流范围 Idss:0.2mA to 1.5mA
电压, Vgs off 最大:2V
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标???:M3p
封装类型:SOT-23
应用代码:GPA
总功率, Ptot:250W
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
栅极电流, Ig:5mA
满功率温度:40°C
电压, Vds 最大:25V
电流, Idss 最大:60mA
电流, Idss 最小:1mA
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡10 英国1205 |
1 |
10 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J177 - 射频 JFET |
射频 JFET
NPN
0.350W
TO-92
20mA
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美国 0 上海49 美国 0 新加坡 0 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - VCR4N - 晶体管JFET N TO-18 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:-25V
电压, Vgs off 最大:-7V
封装类型:TO-18
针脚数:3
封装类型:TO-18
应用代码:V
总功率, Ptot:300mW
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
栅极电流, Ig:10mA
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 最大:-25V
电流, Igr:-0.2nA
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:600ohm
针脚格式:b
针脚配置:b
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上海46 新加坡 0 英国 0 |
1 |
1 |
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