最小正向跨导 Gfs

  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

最大正向跨导 Gfs

  • 1.8mA/V
  • 7.5mA/V
  • 9mA/V
  • 6.5mA/V
  • 18mA/V
  • 7mA/V
  • 10mA/V
  • 0.21mA/V

总功率, Ptot

  • 0.625W
  • 0.225W
  • 0.25W
  • 0.5W
  • 0.2W
  • 0.35W
  • 300mW
  • 625W
  • 250W
  • 500mW
  • 200mW
  • 0.3W
  • 250mW

针脚格式

  • m
  • b
  • b
  • k
  • a
  • p

针脚配置

  • m
  • b
  • p
  • k
  • D(1),S(2),G(3)
  • S(1), D(2), G(3)
  • e

针脚数

  • 3
  • 3
  • 6
  • 4
  • 8

栅极电流, Ig

  • 10mA
  • 20mA
  • 50mA
  • 5mA

应用代码

  • GPA
  • GPS
  • HFA
  • LNA
  • RFA
  • V
  • SW

通态电阻, Rds on 最大

  • 600ohm
  • 125ohm
  • 50ohm

器件标记

  • J113
  • J112
  • J310
  • J201
  • J175
  • J309

满功率温度

  • 25°C
  • 40°C

零栅极电压漏极电流范围 Idss

  • 0.9mA to 4.5mA
  • 0.2mA to 1.5mA
  • 24mA to 60mA
  • 6mA to 15mA
  • -1.5mA to -20mA
  • 5mA
  • 1mA to 5mA

结温, Tj 最高

  • 150°C
  • 175°C

晶体管极性

  • Dual N
  • N Channel
  • P
  • N
  • P Channel
  • N沟道

晶体管类型

  • JFET
  • RF Bipolar
  • Switching

晶体管数

  • 1
  • 2

关断电压, Vgs off 最低

  • 3V
  • -0.3V
  • -0.5V

功耗

  • 625mW
  • 500mW
  • 350mW
  • 1.8W
  • 250mW
  • 300mW
  • 225mW

工作温度范围

  • -55°C to +150°C
  • -55°C to +175°C
  • -55°C to +200°C

封装类型

  • TO-72
  • TO-92
  • TO-71
  • TO-18
  • TO-206AF
  • SOT-23
  • TO-206AA
  • TO-78
  • SOT-323
  • TO-226AA
  • SOIC
  • TO-236
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
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VISHAY SILICONIX - SST110-E3. - 场效应管 JFET NPN 0.350W TO-236 (SOT-23) 50mA VISHAY SILICONIX - SST110-E3. - 场效应管 JFET NPN 0.350W TO-236 (SOT-23) 50mA
  • 场效应管 JFET NPN 0.350W TO-236 (SOT-23) 50mA
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  • 场效应管 JFET SOT-23 SMD
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  • 场效应管 JFET SOT-23 SMD
  • 美国 0
    上海500
    美国3172
    新加坡 0
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    上海 0
    美国2471
    新加坡 0
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    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N5953 - 场效应管 JFET TO-92 5mA 3V FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N5953 - 场效应管 JFET TO-92 5mA 3V
  • 场效应管 JFET TO-92 5mA 3V
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  • 场效应管 JFET TO-92 15mA 6V
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    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J270 - 双极晶体管 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J270 - 双极晶体管
  • 双极晶体管
  • TO-92
  • -15A
  • 30V
  • 美国 0
    上海 0
    美国1694
    新加坡 0
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    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J110.. - 场效应管 JFET N沟道 25V 10mA TO-92 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J110.. - 场效应管 JFET N沟道 25V 10mA TO-92
  • 场效应管 JFET N沟道 25V 10mA TO-92
  • 美国 0
    上海 0
    美国1606
    新加坡300
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    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - U1898.. - 场效应管 JFET N沟道 TO-92 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - U1898.. - 场效应管 JFET N沟道 TO-92
  • 场效应管 JFET N沟道 TO-92
  • 美国 0
    上海 0
    美国1770
    新加坡 0
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    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J202 - 双极晶体管 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J202 - 双极晶体管
  • 双极晶体管
  • 0.350W
  • TO-92
  • 4.5A
  • 40V
  • 美国 0
    上海 0
    美国1964
    新加坡187
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    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBFJ310 - 晶体管 JFET N沟道 SOT-23 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBFJ310 - 晶体管 JFET N沟道 SOT-23
  • 晶体管类型:JFET
  • 电压, V(br)gss:-25V
  • 零栅极电压漏极电流范围 Idss:24mA to 60mA
  • 电压, Vgs off 最大:-6.5V
  • 功耗:350mW
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-23
  • 应用代码:HFA
  • 总功率, Ptot:625W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 电流, Idss 最大:60mA
  • 电流, Idss 最小:24mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 上海140
    新加坡88
    英国1828
    1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - PMBFJ310 - 晶体管 JFET N沟道 SOT-23 NXP - PMBFJ310 - 晶体管 JFET N沟道 SOT-23
  • 晶体管类型:JFET
  • 电压, V(br)gss:-25V
  • 零栅极电压漏极电流范围 Idss:24mA to 60mA
  • 电压, Vgs off 最大:-6.5V
  • 功耗:250mW
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • 封装类型:SOT-23
  • 总功率, Ptot:250mW
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 栅极电流, Ig:50mA
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 电流, Idss 最大:60mA
  • 电流, Idss 最小:12mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡50
    英国3805
    1 5 询价,无需注册 订购
    NXP - BFT46 - 晶体管 JFET N沟道 SOT-23 NXP - BFT46 - 晶体管 JFET N沟道 SOT-23
  • 晶体管类型:JFET
  • 零栅极电压漏极电流范围 Idss:0.2mA to 1.5mA
  • 电压, Vgs off 最大:2V
  • 功耗:250mW
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • SMD标???:M3p
  • 封装类型:SOT-23
  • 应用代码:GPA
  • 总功率, Ptot:250W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 栅极电流, Ig:5mA
  • 满功率温度:40°C
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 电流, Idss 最大:60mA
  • 电流, Idss 最小:1mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡10
    英国1205
    1 10 询价,无需注册 订购
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J177 - 射频 JFET FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J177 - 射频 JFET
  • 射频 JFET
  • NPN
  • 0.350W
  • TO-92
  • 20mA
  • 美国 0
    上海49
    美国 0
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY SILICONIX - VCR4N - 晶体管JFET N TO-18 VISHAY SILICONIX - VCR4N - 晶体管JFET N TO-18
  • 晶体管类型:JFET
  • 电压, V(br)gss:-25V
  • 电压, Vgs off 最大:-7V
  • 封装类型:TO-18
  • 针脚数:3
  • 封装类型:TO-18
  • 应用代码:V
  • 总功率, Ptot:300mW
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 栅极电流, Ig:10mA
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vds 最大:-25V
  • 电流, Igr:-0.2nA
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:600ohm
  • 针脚格式:b
  • 针脚配置:b
  • 上海46
    新加坡 0
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
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