VISHAY SILICONIX - J202-E3 - 晶体管 JFET N 40V 4.5mA
描述信息:
- 晶体管类型:JFET
- 电压, V(br)gss:40V
- 零栅极电压漏极电流范围 Idss:0.9mA to 4.5mA
- 电压, Vgs off 最大:4V
- 功耗:350mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-226AA
- 封装类型:TO-226AA
- 晶体管极性:N Channel
- 电流, Idss 最大:4.5mA
- 电流, Idss 最小:0.9mA
- 表面安装器件:通孔安装
产品属性:
重量(公斤):0.001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管类型:JFET
- 电压, V(br)gss:40V
- 零栅极电压漏极电流范围 Idss:0.9mA to 4.5mA
- 电压, Vgs off 最大:4V
- 功耗:350mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-226AA
- 封装类型:TO-226AA
- 晶体管极性:N Channel
- 电流, Idss 最大:4.5mA
- 电流, Idss 最小:0.9mA
- 表面安装器件:通孔安装