FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG315N - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 2A SC70-6
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDG315N
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡200, 英国965
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.42
价格：
库存编号：
制造商编号：FDG315N
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡200, 英国965
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.42
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 2.42 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2A
- 电压, Vds 最大:30V
- ???态电阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.8V
- 功耗:0.75W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-70
- 针脚数:6
- 器件标记:.15
- 封装类型:SC70
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:2A
- 电压, Vds 最大:30V
- ???态电阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.8V
- 功耗:0.75W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SC-70
- 针脚数:6
- 器件标记:.15
- 封装类型:SC70
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:2A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
- 阈值电压, Vgs th 最高:3V