SANYO - FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：FW808-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国96
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 14.12
价格：
库存编号：
制造商编号：FW808-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国96
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 14.12
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 14.12 |
| 25 - 99 | CNY 12.01 |
| 100 - 249 | CNY 9.79 |
| 250 - 499 | CNY 8.23 |
| 500+ | CNY 6.89 |
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):22mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-96
- 针脚数:8
- 封装类型:SOT-96
- 晶体管类型:Switching
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:8A
产品属性：
重量（公斤）：0.00009
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):22mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-96
- 针脚数:8
- 封装类型:SOT-96
- 晶体管类型:Switching
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:8A