TOSHIBA - GT10Q301 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N)
描述信息:
- 晶体管类型:HP SW IGBT
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:TO-3P (N)
- 针脚数:3
- 上升时间:70ns
- 功率, Pd:140W
- 功耗:140W
- 封装类型:TO-3P (N)
- 晶体管极性:N
- 最大连续电流, Ic:10A
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:20A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:GCE
产品属性:
重量(公斤):0.0046
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管类型:HP SW IGBT
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:TO-3P (N)
- 针脚数:3
- 上升时间:70ns
- 功率, Pd:140W
- 功耗:140W
- 封装类型:TO-3P (N)
- 晶体管极性:N
- 最大连续电流, Ic:10A
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:20A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:GCE