TOSHIBA - GT30J324 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-3P(N)
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：GT30J324
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国60
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 55.00
价格：
库存编号：
制造商编号：GT30J324
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国60
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 55.00
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 55.00 |
| 25+ | CNY 40.50 |
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:30A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
- 最大功耗:170W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-3P (N)
- 上升时间:70ns
- 下降时间典型值:50ns
- 功率, Pd:170W
- 功耗:170W
- 封装类型:TO-3P (N)
- 晶体管极性:N Channel
- 最大连续电流, Ic:30A
- 热阻, 结至外壳 A:0.735°C/W
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:60A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
产品属性：
重量（公斤）：0.0046
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:30A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
- 最大功耗:170W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-3P (N)
- 上升时间:70ns
- 下降时间典型值:50ns
- 功率, Pd:170W
- 功耗:170W
- 封装类型:TO-3P (N)
- 晶体管极性:N Channel
- 最大连续电流, Ic:30A
- 热阻, 结至外壳 A:0.735°C/W
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:60A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装