IXYS RF - IXZ215N12L - 场效应管 MOSFET N RF DE275
制造商：IXYS RF
库存编号：
制造商编号：IXZ215N12L
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 338.80
价格：
库存编号：
制造商编号：IXZ215N12L
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 338.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 338.80 |
| 10 - 24 | CNY 308.90 |
| 25 - 49 | CNY 280.70 |
| 50+ | CNY 276.30 |
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:125V
- 电流, Id 连续:15A
- 最大功耗:6W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE-275
- 晶体管极性:N
- 上升时间:4ns
- 封装类型:DE-275
- 开态电阻, Rds(on):0.3ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:125V
- 电容值, Ciss 典型值:425pF
- 电流, Idm 脉冲:60A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:125V
- 电流, Id 连续:15A
- 最大功耗:6W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE-275
- 晶体管极性:N
- 上升时间:4ns
- 封装类型:DE-275
- 开态电阻, Rds(on):0.3ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
- 电压, Vds 典型值:125V
- 电容值, Ciss 典型值:425pF
- 电流, Idm 脉冲:60A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V