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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NXP - BLF278 - 功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:125V
电流, Id 连续:18A
功耗:500W
封装类型:SOT-262A1
晶体管??性:N
电压, Vds:125V
结温, Tj 最高:200°C
功率, Pd:500W
存储温度, 最低:-65°C
存储温度, 最高:150°C
封装类型:SOT-262A1
开态电阻, Rds(on):0.2ohm
漏极电流, Id 最大值:18A
电压 @ Rds测量:10V
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0
新加坡 0
英国95 |
1 |
1 |
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FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRFG35002N6AT1 - 射频MOSFET PHEMT PLD-1.5 |
晶体管类型:RF FET
电压, Vds 最大:8V
电流, Id 连续:1.7A
最大功耗:1.5W
封装类型:PLD-1.5
针脚数:3
功耗:1.5W
增益:10dB
封装类型:PLD-1.5
射频输入功率:22dBm
最高工作频率:5000MHz
栅极-源极电压, Vgs:-5V
电压, Vds:8V
表面安装器件:表面安装
输出功率:1.5W
封装类型:PLD-1.5
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上海 0
新加坡 0
英国2 |
1 |
1 |
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FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1517NT1 - 射频MOSFET N PLD-1.5 |
晶体管类型:RF FET
电压, Vds 最大:25V
电流, Id 连续:4A
最大功耗:62.5W
封装类型:466
针脚数:3
功耗:62.5mW
增益:14dB
封装类型:PLD-1.5
晶体管极性:N
电压, Vds:0.5V
表面安装器件:表面安装
输出功率:8W
封装类型:PLD-1.5
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上海 0
新加坡5
英国75 |
1 |
1 |
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FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1513NT1 - 射频MOSFET N PLD-1.5 |
晶体管类型:RF FET
电压, Vds 最大:40V
电流, Id 连续:2A
最大功耗:31.25W
封装类型:466
针脚数:3
功耗:31.25W
增益:15dB
封装类型:PLD-1.5
晶体管极性:N
电压, Vds:0.65V
表面安装器件:表面安装
输出功率:3W
封装类型:PLD-1.5
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上海9
新加坡 0
英国36 |
1 |
1 |
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FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1511NT1 - 射频MOSFET N PLD-1.5 |
晶体管类型:RF FET
电压, Vds 最大:40V
电流, Id 连续:4A
最大功耗:62.5W
封装类型:466
针脚数:3
功耗:62.5W
增益:13dB
封装类型:PLD-1.5
晶体管极性:N
电压, Vds:0.4V
表面安装器件:表面安装
输出功率:8W
封装类型:PLD-1.5
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无库存 |
1 |
1 |
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NXP - BLF245 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:65V
电流, Id 连续:6A
功耗:68W
封装类型:SOT-123
截止频率 ft, 典型值:175MHz
晶体管数:1
晶体管极性:N
针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
功率, Pd:68W
器件标号:1
封装类型:SOT-123
应用代码:RFPOWMOS
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
最小功率增益 Gp:33dB
漏极电流, Id 最大值:6A
电压 @ Rds测量:10V
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:65V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Idss 最大:2mA
通态电阻, Rds on 最大:0.75ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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NXP - BLF177 - 场效应管 MOSFET VHF SOT121 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:125V
电流, Id 连续:16A
最大功耗:220W
封装类型:SOT-121
截止频率 ft, 典型值:28MHz
???体管数:1
晶体管极性:N
针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
功率, Pd:220W
器件标号:1
封装类型:SOT-121
应用代码:RFPOWMOS
开态电阻, Rds(on):0.2ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:125V
电流, Idss 最大:2.5mA
通态电阻, Rds on 最大:0.3ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0
新加坡25
英国306 |
1 |
1 |
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NXP - BLF175 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:125V
电流, Id 连续:4A
最大功耗:68W
封装类型:SOT-123
截止频率 ft, 典型值:32MHz
晶体管数:1
晶体管极性:N
热阻, 结至外壳 A:2.6°C/W
针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
功率, Pd:68W
器件标号:1
封装类型:SOT-123
应用代码:RFPOWMOS
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:125V
电流, Idss 最大:0.1mA
通态电阻, Rds on 最大:1.5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0
新加坡 0
英国30 |
1 |
1 |
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NXP - BF991 - 双MOSFET N RF SOT143 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:20V
电流, Id 连续:0.02A
最大功耗:200mW
噪声:1dB
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-143
???体管数:2
晶体管极性:双 N
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1)
SMD标号:M91
功率, Pd:0.2W
封装类型:SOT-143
电压, Vds 典型值:20V
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上海 0
新加坡26
英国3119 |
1 |
10 |
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NXP - BF904 - 双MOSFET N RF SOT143 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:7V
电流, Id 连续:0.03A
最大功耗:200mW
噪声:2dB
封装类型:SOT-143B
晶体管数:2
晶体管极性:双 N
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1)
SMD标号:MO4
功率, Pd:0.2W
封装类型:SOT-143B
电压, Vds 典型值:7V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
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上海 0
新加坡170
英国634 |
1 |
5 |
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IXYS RF - IXZR16N60A - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:600V
电流, Id 连续:18A
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:N Channel
表面安装器件:通孔安装
上升时间:4ns
封装类型:ISOPLUS-247
开态电阻, Rds(on):0.44ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:1930pF
阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - PD55008L-E - 场效应管 MOSFET RF 8W 500MHZ |
晶体管类型:RF MOS
电压, Vds 最大:40V
电流, Id 连续:5A
针脚数:8
外宽:5mm
外部深度:1mm
外部长度/高度:5mm
封装类型:PowerFLAT 5 x 5
晶体管数:1
晶体管极性:N
最小增益带宽 ft:500MHz
表面安装器件:表面安装
SMD标号:55008
功率, Pd:19.5W
封装类型:PowerFLAT
满功率温度:70°C
电压, Vds 典型值:40V
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - PD55003L-E - 场效应管 MOSFET RF 12W 500MHZ |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:40V
电流, Id 连续:2.5A
最大功耗:14W
针脚数:8
外宽:5mm
外部深度:1mm
外部长度/高度:5mm
封装类型:PowerFLAT 5 x 5
晶体管数:1
晶体管极性:N
最小增益带宽 ft:500MHz
表面安装器件:表面安装
SMD标号:55003
功率, Pd:14W
封装类型:PowerFLAT
满功率温度:70°C
电压, Vds 典型值:40V
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海5
新加坡 0
英国3099 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - PD54008L-E - 场效应管 MOSFET RF 8W 500MHZ |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:25V
电流, Id 连续:5A
针脚数:8
外宽:5mm
外部深度:1mm
外部长度/高度:5mm
封装类型:PowerFLAT 5 x 5
晶体管数:1
晶体管极性:N
最小增益带宽 ft:500MHz
表面安装器件:表面安装
SMD标号:54008
功率, Pd:26.7W
封装类型:PowerFLAT
满功率温度:70°C
电压, Vds 典型值:25V
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - PD54003L-E - 场效应管 MOSFET RF 3W 500MHZ |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:25V
电流, Id 连续:4A
针脚数:8
外宽:5mm
外部深度:1mm
外部长度/高度:5mm
封装类型:PowerFLAT 5 x 5
晶体管数:1
晶体管极性:N
最小增益带宽 ft:500MHz
表面安装器件:表面安装
SMD标号:54003
功率, Pd:19.5W
封装类型:PowerFLAT
满功率温度:70°C
电压, Vds 典型值:25V
阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
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无库存 |
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