SEMIKRON - SEMIX 352GB128DS - 双IGBT模块 1200V SPT
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:SEMiX 2
- 外宽:116.5mm
- 外部深度:61.6mm
- 封装类型:SEMiX 2
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT
- SMD标号:SEMiX2
- 上升时间:55ns
- 安装孔中心距:77mm
- 安装孔直径:5.5mm
- 最大连续电流, Ic:370A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1200V
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:370A
- 集电极电流, Ic 平均值:370A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:260A
产品属性:
重量(公斤):0.36
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:SEMiX 2
- 外宽:116.5mm
- 外部深度:61.6mm
- 封装类型:SEMiX 2
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT
- SMD标号:SEMiX2
- 上升时间:55ns
- 安装孔中心距:77mm
- 安装孔直径:5.5mm
- 最大连续电流, Ic:370A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1200V
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:370A
- 集电极电流, Ic 平均值:370A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:260A