SEMIKRON - SKM 150GB128D - 双IGBT模块 200A 1200V SPT
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:SEMITRANS 3
- 外宽:106.4mm
- 外部深度:61.4mm
- 外部长度/高度:30.5mm
- 封装类型:SEMITRANS 3
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- 上升时间:40ns
- 下降时间:65ns
- 安装孔中心距:93mm
- 安装孔直径:6.4mm
- 最大连续电流, Ic:200A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压, Vces:1200V
- 集电极电流, Ic 平均值:200A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:140A
产品属性:
重量(公斤):0.5
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
- 电压, Vceo:1200V
- 封装类型:SEMITRANS 3
- 外宽:106.4mm
- 外部深度:61.4mm
- 外部长度/高度:30.5mm
- 封装类型:SEMITRANS 3
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- 上升时间:40ns
- 下降时间:65ns
- 安装孔中心距:93mm
- 安装孔直径:6.4mm
- 最大连续电流, Ic:200A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压, Vces:1200V
- 集电极电流, Ic 平均值:200A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:140A