NXP - BLF175 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123

NXP - BLF175 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：BLF175
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国30
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 340.12
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 340.12
25  - 99 CNY 305.86
100  - 249 CNY 273.30
250+  CNY 262.79

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描述信息：
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:4A
  • 最大功耗:68W
  • 封装类型:SOT-123
  • 截止频率 ft, 典型值:32MHz
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 热阻, 结至外壳 A:2.6°C/W
  • 针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
  • 功率, Pd:68W
  • 器件标号:1
  • 封装类型:SOT-123
  • 应用代码:RFPOWMOS
  • 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:125V
  • 电流, Idss 最大:0.1mA
  • 通态电阻, Rds on 最大:1.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：

重量（公斤）：0.01
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:4A
  • 最大功耗:68W
  • 封装类型:SOT-123
  • 截止频率 ft, 典型值:32MHz
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 热阻, 结至外壳 A:2.6°C/W
  • 针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
  • 功率, Pd:68W
  • 器件标号:1
  • 封装类型:SOT-123
  • 应用代码:RFPOWMOS
  • 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:125V
  • 电流, Idss 最大:0.1mA
  • 通态电阻, Rds on 最大:1.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V