 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG316P - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.6A SC70-6 |
晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:1.6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-1.6V
功耗:0.75W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-70
针脚数:6
器件标记:.36
封装类型:SC70
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:1.6A
电流, Idm 脉冲:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
阈值电压, Vgs th 最高:3V
|
上海 0
美国235
新加坡 0
英国1881 |
1 |
1 |
  |
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG315N - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 2A SC70-6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:30V
???态电阻, Rds(on):0.12ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.8V
功耗:0.75W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-70
针脚数:6
器件标记:.15
封装类型:SC70
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:2A
电流, Idm 脉冲:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
阈值电压, Vgs th 最高:3V
|
上海 0
美国 0
新加坡200
英国965 |
1 |
1 |
|
| 共 237 页 | 第 1 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
