IXYS RF - IXZ308N120 - 场效应管 MOSFET N RF DE375
制造商：IXYS RF
库存编号：
制造商编号：IXZ308N120
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 325.00
价格：
库存编号：
制造商编号：IXZ308N120
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 325.00
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 325.00 |
| 10+ | CNY 318.60 |
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:1200V
- 电流, Id 连续:8A
- 最大功耗:880W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE-375
- 晶体管极性:N
- 上升时间:5ns
- 功率, Pd:880W
- 封装类型:DE-375
- 开态电阻, Rds(on):2.1ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
- 电压, Vds 典型值:1200V
- 电容值, Ciss 典型值:1960pF
- 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:1200V
- 电流, Id 连续:8A
- 最大功耗:880W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE-375
- 晶体管极性:N
- 上升时间:5ns
- 功率, Pd:880W
- 封装类型:DE-375
- 开态电阻, Rds(on):2.1ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
- 电压, Vds 典型值:1200V
- 电容值, Ciss 典型值:1960pF
- 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V