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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
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单位价格 (不含税) |
数量 |
![TOSHIBA - 2SK4014(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 900V TO220IS](/product/icimg/103/102419.jpg) |
TOSHIBA - 2SK4014(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 900V TO220IS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:900V
开态电阻, Rds(on):2ohm
电??? @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:45W
封装类型:TO-220SIS
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:900V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0 新加坡 0 英国412 |
1 |
1 |
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![TOSHIBA - 2SK4012(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 13A 500V TO220IS](/product/icimg/103/102418.jpg) |
TOSHIBA - 2SK4012(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 13A 500V TO220IS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:13A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:45W
封装类型:TO-220SIS
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:13A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0 新加坡36 英国286 |
1 |
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![TOSHIBA - 2SK4003(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 3A 600V TO251AA](/product/icimg/103/102417.jpg) |
TOSHIBA - 2SK4003(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 3A 600V TO251AA |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):2.2ohm
??压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:20W
封装类型:TO251AA
封装类型:PW-MOLD2
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:3A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0 新加坡 0 英国1035 |
1 |
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![TOSHIBA - 2SK3906(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO3P](/product/icimg/103/102416.jpg) |
TOSHIBA - 2SK3906(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.33ohm
电压 @ Rds测???:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
封装类型:TO-3P
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:20A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0 新加坡 0 英国111 |
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![TOSHIBA - 2SK3878(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 9A 900V TO3P](/product/icimg/103/102415.jpg) |
TOSHIBA - 2SK3878(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 9A 900V TO3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:9A
电压, Vds 最大:900V
开态电阻, Rds(on):1.3ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
封装类型:TO-3P
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:900V
电流, Id 连续:9A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0 新加坡20 英国3 |
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![TOSHIBA - 2SK3845(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 70A 600V T0247](/product/icimg/103/102414.jpg) |
TOSHIBA - 2SK3845(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 70A 600V T0247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:70A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.0058ohm
??压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:125W
封装类型:TO-3P
封装类型:TO-3P
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:70A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0 新加坡50 英国457 |
1 |
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![VISHAY - MSS1P4-M3/89A - 肖特基整流二极管 1A 40V](/product/icimg/103/102408.jpg) |
VISHAY - MSS1P4-M3/89A - 肖特基整流二极管 1A 40V |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:40V
电流, If 平均:1A
正向电压 Vf 最大:0.46V
电流, Ifs 最大:25A
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装形式:Micro SMP
针脚数:2
外宽:1.4mm
外部深度:0.75mm
外部长度/高度:2.3mm
封装类型:Micro SMP
电流, Ifsm:25A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0 新加坡30 英国5998 |
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![DIODES ZETEX - SBR60A60CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 60V](/product/icimg/103/102346.jpg) |
DIODES ZETEX - SBR60A60CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 60V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:60V
正向电压 Vf 最大:650mV
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:60A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
电流, Ifsm:280A
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无库存 |
1 |
1 |
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![DIODES ZETEX - SBR60A45CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 45V](/product/icimg/103/102345.jpg) |
DIODES ZETEX - SBR60A45CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 45V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:45V
正向电压 Vf 最大:550mV
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:60A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
电流, Ifsm:280A
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无库存 |
1 |
1 |
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![DIODES ZETEX - SBR60A300PT - 超势垒整流二极管 TO-247 60A 300V](/product/icimg/103/102344.jpg) |
DIODES ZETEX - SBR60A300PT - 超势垒整流二极管 TO-247 60A 300V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:300V
正向电压 Vf 最大:940mV
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装形式:TO-247AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-247AB
电流, If 平均:60A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
时间, trr 典型值:32ns
电流, Ifsm:300A
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上海 0 新加坡 0 英国38 |
1 |
1 |
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![DIODES ZETEX - SBR60A300CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 300V](/product/icimg/103/102343.jpg) |
DIODES ZETEX - SBR60A300CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 300V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:300V
正向电压 Vf 最大:940mV
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:60A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
时间, trr 典型值:32ns
电流, Ifsm:235A
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无库存 |
1 |
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![DIODES ZETEX - SBR60A200CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 200V](/product/icimg/103/102342.jpg) |
DIODES ZETEX - SBR60A200CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 200V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:200V
正向电压 Vf 最大:960mV
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:60A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
时间, trr 典型值:38ns
电流, Ifsm:250A
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上海 0 新加坡 0 英国15 |
1 |
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![DIODES INC. - SBR60A150CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 150V](/product/icimg/103/102341.jpg) |
DIODES INC. - SBR60A150CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 150V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:150V
正向电压 Vf 最大:930mV
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:60A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:通孔安装
电流, Ifsm:250A
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上海 0 新加坡 0 英国40 |
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![DIODES ZETEX - SBR40U60CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 40A 60V](/product/icimg/103/102340.jpg) |
DIODES ZETEX - SBR40U60CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 40A 60V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:60V
正向电压 Vf 最大:600mV
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装形式:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220AB
电流, If 平均:40A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
电流, Ifsm:280A
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无库存 |
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![DIODES ZETEX - SBR3U40P1-7 - 超势垒整流二极管 POWERDI-123 3A 40V](/product/icimg/103/102339.jpg) |
DIODES ZETEX - SBR3U40P1-7 - 超势垒整流二极管 POWERDI-123 3A 40V |
二极管类型:Super Barrier
电压, Vrrm:40V
电流, If 平均:3A
正向电压 Vf 最大:470mV
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装形式:PowerDI 123
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PowerDI 123
电流, Ifsm:75A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
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