最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
TOSHIBA - 2SK4014(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 900V TO220IS TOSHIBA - 2SK4014(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 900V TO220IS
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:900V
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 电??? @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:45W
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:900V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国412
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK4012(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 13A 500V TO220IS TOSHIBA - 2SK4012(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 13A 500V TO220IS
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:13A
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:45W
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 封装类型:TO-220SIS
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电流, Id 连续:13A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡36
    英国286
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK4003(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 3A 600V TO251AA TOSHIBA - 2SK4003(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 3A 600V TO251AA
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:3A
  • 电压, Vds 最大:600V
  • 开态电阻, Rds(on):2.2ohm
  • ??压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:20W
  • 封装类型:TO251AA
  • 封装类型:PW-MOLD2
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:3A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1035
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK3906(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO3P TOSHIBA - 2SK3906(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO3P
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:20A
  • 电压, Vds 最大:600V
  • 开态电阻, Rds(on):0.33ohm
  • 电压 @ Rds测???:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-3P
  • 封装类型:TO-3P
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:20A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国111
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK3878(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 9A 900V TO3P TOSHIBA - 2SK3878(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 9A 900V TO3P
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:9A
  • 电压, Vds 最大:900V
  • 开态电阻, Rds(on):1.3ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:30V
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-3P
  • 封装类型:TO-3P
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:900V
  • 电流, Id 连续:9A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡20
    英国3
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - 2SK3845(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 70A 600V T0247 TOSHIBA - 2SK3845(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 70A 600V T0247
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:70A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0058ohm
  • ??压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:125W
  • 封装类型:TO-3P
  • 封装类型:TO-3P
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:70A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡50
    英国457
    1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY - MSS1P4-M3/89A - 肖特基整流二极管 1A 40V VISHAY - MSS1P4-M3/89A - 肖特基整流二极管 1A 40V
  • 二极管类型:Schottky
  • 电压, Vrrm:40V
  • 电流, If 平均:1A
  • 正向电压 Vf 最大:0.46V
  • 电流, Ifs 最大:25A
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装形式:Micro SMP
  • 针脚数:2
  • 外宽:1.4mm
  • 外部深度:0.75mm
  • 外部长度/高度:2.3mm
  • 封装类型:Micro SMP
  • 电流, Ifsm:25A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡30
    英国5998
    1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - SBR60A60CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 60V DIODES ZETEX - SBR60A60CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 60V
  • 二极管类型:Super Barrier
  • 电压, Vrrm:60V
  • 正向电压 Vf 最大:650mV
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装形式:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TO-220AB
  • 电流, If 平均:60A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 电流, Ifsm:280A
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - SBR60A45CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 45V DIODES ZETEX - SBR60A45CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 45V
  • 二极管类型:Super Barrier
  • 电压, Vrrm:45V
  • 正向电压 Vf 最大:550mV
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装形式:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TO-220AB
  • 电流, If 平均:60A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 电流, Ifsm:280A
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - SBR60A300PT - 超势垒整流二极管 TO-247 60A 300V DIODES ZETEX - SBR60A300PT - 超势垒整流二极管 TO-247 60A 300V
  • 二极管类型:Super Barrier
  • 电压, Vrrm:300V
  • 正向电压 Vf 最大:940mV
  • 工作温度范围:-65°C to +175°C
  • 封装形式:TO-247AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TO-247AB
  • 电流, If 平均:60A
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 时间, trr 典型值:32ns
  • 电流, Ifsm:300A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国38
    1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - SBR60A300CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 300V DIODES ZETEX - SBR60A300CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 300V
  • 二极管类型:Super Barrier
  • 电压, Vrrm:300V
  • 正向电压 Vf 最大:940mV
  • 工作温度范围:-65°C to +175°C
  • 封装形式:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TO-220AB
  • 电流, If 平均:60A
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 时间, trr 典型值:32ns
  • 电流, Ifsm:235A
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - SBR60A200CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 200V DIODES ZETEX - SBR60A200CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 200V
  • 二极管类型:Super Barrier
  • 电压, Vrrm:200V
  • 正向电压 Vf 最大:960mV
  • 工作温度范围:-65°C to +175°C
  • 封装形式:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TO-220AB
  • 电流, If 平均:60A
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 时间, trr 典型值:38ns
  • 电流, Ifsm:250A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国15
    1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES INC. - SBR60A150CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 150V DIODES INC. - SBR60A150CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 60A 150V
  • 二极管类型:Super Barrier
  • 电压, Vrrm:150V
  • 正向电压 Vf 最大:930mV
  • 工作温度范围:-65°C to +175°C
  • 封装形式:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TO-220AB
  • 电流, If 平均:60A
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 电流, Ifsm:250A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国40
    1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - SBR40U60CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 40A 60V DIODES ZETEX - SBR40U60CT - 超势垒整流二极管 TO-220AB 40A 60V
  • 二极管类型:Super Barrier
  • 电压, Vrrm:60V
  • 正向电压 Vf 最大:600mV
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装形式:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:TO-220AB
  • 电流, If 平均:40A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 电流, Ifsm:280A
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - SBR3U40P1-7 - 超势垒整流二极管 POWERDI-123 3A 40V DIODES ZETEX - SBR3U40P1-7 - 超势垒整流二极管 POWERDI-123 3A 40V
  • 二极管类型:Super Barrier
  • 电压, Vrrm:40V
  • 电流, If 平均:3A
  • 正向电压 Vf 最大:470mV
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装形式:PowerDI 123
  • 针脚数:2
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:PowerDI 123
  • 电流, Ifsm:75A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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