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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TOSHIBA - TPCA8011-H(TE12LQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 40A 20V SOP8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:40A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.0035ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:45W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:40A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国26 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPCA8006-H(TE12LQM - 场效应管 MOSFET N沟道 45A 30V SOP8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.067ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:45W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:45A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPCA8004-H(TE12LQ - 场效应管 MOSFET N沟道 40A 30V SOP8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:40A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.0046ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:45W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:40A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPC8021-H(TE12LQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 11A 30V SOP8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:11A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.017ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.9W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:11A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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上海 0
新加坡 0
英国8 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPC8018-H(TE12LQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 18A 30V SOP8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.0046ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:1.9W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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上海 0
新加坡 0
英国5 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPC6108(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 4.5A 60V SOT23-6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-4.5A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.060ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:2.2W
封装类型:2-3T1A
封装类型:VS-6
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:4.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
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上海 0
新加坡40
英国2156 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPC6104(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 5.5A 20V TSOP6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-5.5A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):0.04ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-8V
功耗:2.2W
封装类型:2-3T1A
封装类型:VS-6
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:5.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
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上海 0
新加坡 0
英国2526 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPC6006-H(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 3.9A 40V TSOP6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3.9A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.075ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2.2W
封装类型:2-3T1A
封装类型:VS-6
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:3.9A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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上海 0
新加坡 0
英国2586 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPC6005(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 30V TSOP6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.028ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:2.2W
封装类型:2-3T1A
封装类型:VS-6
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
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上海 0
新加坡 0
英国2972 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPC6004(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 20V SOT23-6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.024ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:2.2W
封装类型:2-3T1A
封装类型:VS-6
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
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上海 0
新加坡 0
英国2247 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPC6003(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 6A 30V SOT23-6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.024ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2.2W
封装类型:2-3T1A
封装类型:VS-6
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK4108(F) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 500V TO3P |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.27ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
封装类型:TO-3P
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:20A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡119
英国235 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK4103(TE16L1NQ) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 500V DPAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
封装类型:DPAK
封装类型:PW-MOLD
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡100
英国698 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK4017(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 5A 60V TO251AA |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.1ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:20W
封装类型:TO251AA
封装类型:PW-MOLD2
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡600
英国590 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - 2SK4016(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 13A 600V TO220IS |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:13A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.5ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:50W
封装类型:TO-220SIS
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:13A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国234 |
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