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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - EC4307KF-TR - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 1.1A ECSP1208 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-1.1A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):327mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:400mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECSP1208
针脚数:4
封装类型:ECSP1208
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:1.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
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上海 0
新加坡 0
英国50 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH6434-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A SOT346 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):41mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.6W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:6
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国984 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):220mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.6W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:6
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国33 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH6411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A SOT346 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):26mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.6W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:6
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3.5A SOT346 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-3.5A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):70mohm
???压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.6W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:6
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:3.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国81 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH6311-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-5A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):42mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:6
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国838 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3442-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6.5A SOT346 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6.5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):24mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:3
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国763 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3440-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 7A SOT346 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:7A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):22mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:3
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3430-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 2A SOT346 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):220mohm
??压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:3
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国17 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3348-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A SOT346 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-3A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):70mohm
???压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:3
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国1378 |
1 |
1 |
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SANYO - CPH3340-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 5A SOT346 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-5A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):45mohm
???压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
针脚数:3
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国792 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4073LS - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 90A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:90A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):5mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:40W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FI
针脚数:3
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:90A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡20
英国180 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4066-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 100A SOT404 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):4.7mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:90W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-404
针脚数:3
封装类型:SOT-404
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:100A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4065-DL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 75V 100A SOT404 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100A
电压, Vds 最大:75V
开态电阻, Rds(on):6mohm
??压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:90W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-404
针脚数:3
封装类型:SOT-404
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:75V
电流, Id 连续:100A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国34 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4063LS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 16A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):390mohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FI
针脚数:3
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国39 |
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