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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - 2SK4062LS - 场效应管 MOSFET N沟道 450V 18A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:450V
开态电阻, Rds(on):320mohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FI
针脚数:3
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:450V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国40 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK4043LS - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 20A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):21mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:20W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FI
针脚数:3
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:20A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国18 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3709 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 37A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:37A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):25mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:35W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:37A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡15
英国89 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3708 - 场效应管 MOSFET N沟道 10V 30A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:30A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):33mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:30W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:30A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国18 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3707 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 20A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):60mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:25W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:20A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡10
英国64 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3706 - 场效应管 MOSFET N沟道 100V 12A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:12A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):130mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:20W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国187 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3705 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 60A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:60A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):12.5mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:35W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:60A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国18 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3704 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 45A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:45A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):14mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:30W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:45A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国81 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3703 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 30A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:30A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):26mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:25W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:30A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国23 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3702 - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 18A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):55mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:20W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220ML
针脚数:3
封装类型:TO-220ML
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
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上海 0
新加坡 0
英国32 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK3486-TD-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 8A TO243 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):43mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:3.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-243
针脚数:3
封装类型:TO-243
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国558 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK2632LS - 场效应管 MOSFET N沟道 800V 2.5A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:800V
开态电阻, Rds(on):4.8ohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:25W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FI
针脚数:3
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:800V
电流, Id 连续:2.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国79 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK2625ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 5A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):2ohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:30W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FI
针脚数:3
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国135 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK2624ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 3.5A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大??:3.5A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):2.6ohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:25W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FI
针脚数:3
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:3.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - 2SK2618ALS - 场效应管 MOSFET N沟道 500V 6.5A TO220F |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大??:6.5A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):1.25ohm
电压 @ Rds测量:15V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:30W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FI
针脚数:3
封装类型:TO-220FI
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:6.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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上海 0
新加坡 0
英国40 |
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