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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TOSHIBA - SSM3K15FS(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):4ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:100mW
封装类型:SOT-23
封装类型:SSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
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上海 0
新加坡20
英国5528 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - SSM3K14T(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 4A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.039ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:700mW
封装类型:SOT-23
封装类型:TSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡150
英国2113 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - SSM3K09FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.4A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:400mA
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.7ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:150mW
封装类型:SC-70
封装类型:USM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
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上海 0
新加坡200
英???1636 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - SSM3K05FU(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.4A 20V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:400mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.8ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:150mW
封装类型:SC-70
封装类型:USM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
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上海 0
新加坡217
英国1848 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - SSM3K03FE(TPL3F) - 场效应管 MOSFET N沟道 0.1A 20V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:100mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):12ohm
电压 @ Rds测量:2.5V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:100mW
封装类型:ESM
封装类型:ESM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国7090 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - SSM3K02T(TE85LF) - 场效应管 MOSFET N沟道 2.5A 30V SOT23 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.2ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.25W
封装类型:SOT-23
封装类型:TSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:2.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
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上海 0
新加坡 0
英国769 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - SSM3J16FS(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 100A 20V SOT23 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-100mA
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:100mW
封装类型:SOT-23
封装类型:SSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
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上海 0
新加坡30
英???5507 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - SSM3J15TE(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 100A 30V SOT23 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-100mA
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):12ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:100mW
封装类型:SOT-23
封装类型:TESM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:0.1A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
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上海 0
新加坡 0
???国3755 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - SSM3J02T(TE85LF) - 场效应管 MOSFET P沟道 1.5A 30V SOT23 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-1.5A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.5ohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:-10V
功耗:1.25W
封装类型:SOT-23
封装类型:TSM
晶体管类型:Small Signal MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:1.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V
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上海 0
新加坡 0
英国1953 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TK40J60T(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 40A 600V TO220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:40A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.08ohm
???压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:400W
封装类型:TO-3P
封装类型:TO-3P
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:40A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国57 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TK20A60T(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 20A 600V TO220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:20A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.190ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:45W
封装类型:TO-220SIS
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:20A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
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上海 0
新加坡 0
英国33 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TK60A08J1(Q) - 场效应管 MOSFET N沟道 60A 75V TO220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:60A
电压, Vds 最大:75V
开态电阻, Rds(on):0.0078ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:45W
封装类型:TO-220SIS
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:75V
电流, Id 连续:60A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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上海 0
新加坡 0
英国560 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPCA8102(TE12LQ) - 场效应管 MOSFET P沟道 40A 30V SOP8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-40A
电压, Vds 最大:-30V
开态电阻, Rds(on):0.006ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:45W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:40A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
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上海 0
新加坡 0
英国1968 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - TPCA8016-H(TE12LQ - 场效应管 MOSFET N沟道 25A 60V SOP8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:25A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.021ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:45W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:25A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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上海 0
新加坡 0
英国481 |
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1 |
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TOSHIBA - TPCA8015-H(TE12LQ - 场效应管 MOSFET N沟道 35A 40V SOP8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:35A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.0054ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:45W
封装类型:SOP
封装类型:SOP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:35A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
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上海 0
新加坡 0
英国2672 |
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